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J-GLOBAL ID：200903083694701785

GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体成長用基板

Inventor： 秋本 克洋 ,  山田 晃義 ,  何 國濱 ,  丸山 隆浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998024451
Publication number (International publication number)：1999224856
Application date： Feb. 05, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 良質の単結晶のGaN系半導体を成長させることができるGaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体成長用基板を提供する。【解決手段】 少なくとも表面がMoS2 からなる基板1を用い、その上に分子線エピタキシー法などによりGaN系半導体3を成長させる。好ましくは、GaN系半導体3の成長温度より低い温度でまずGaN系半導体からなるバッファ層2を成長させた後、その上にGaN系半導体3を成長させる。GaN系半導体3またはバッファ層2を成長させる場合にはそのバッファ層2の成長時の原料の供給は、Ga原料の供給から開始する。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が層状物質からなる基板上にGaN系半導体を成長させるようにしたことを特徴とするGaN系半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C