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J-GLOBAL ID：200903083695256750

半導体ウエハ上に、金属-酸化物-金属のキャパシタを製造する方法

Inventor： ミンセオック オー ,  セレシュ マンシン マーチャント ,  プラディップ クーマー ロイ ,  ユ-フン ウォン
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000258447
Publication number (International publication number)：2001085645
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、デバイスを劣化させることなく金属-酸化物-金属のキャパシタ内の銅層を絶縁する方法を提供することである。【解決手段】 本発明の方法は、半導体ウエハ上に第1電極110を形成するステップと、前記第1電極110の上に五酸化タンタル製の層120を形成するステップと、前記五酸化タンタル製の層120の上に第1バリア層130を形成するステップと、前記第1バリア層130の上に銅を含有する第2電極140を形成するステップとを有する製造方法である。かくして、銅と五酸化タンタルが直接接触しない。

Claim (excerpt)：

(A) 半導体ウエハ上に第1電極(110)を形成するステップと、(B) 前記第1電極(110)の上に五酸化タンタル製の層(120)を形成するステップと、(C) 前記五酸化タンタル製の層(120)の上に第1バリア層(130)を形成するステップと、(D) 前記第1バリア層(130)の上に銅を含有する第2電極(140)を形成するステップとを有することを特徴とする半導体ウエハ上に金属-酸化物-金属のキャパシタを製造する方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z