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J-GLOBAL ID：200903083719107557

高周波用薄膜トランスおよび高周波用薄膜インダクタ

Inventor： 三野 正人 ,  榊原 一彦 ,  谷内 利明 ,  田子 章男 ,  柳沢 佳一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264594
Publication number (International publication number)：1993109557
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高周波用薄膜トランスおよび高周波用薄膜インダクタにおいて、高周波における導体抵抗の増加を低減し、使用できる周波数ならびに効率を向上させる。【構成】 中心部磁性膜3を取り巻くように導線4を絶縁して螺旋状に巻回する構造の薄膜インダクタにおいて、中心部磁性膜3の上下に上部磁性膜6と下部磁性膜5を配置し、かつ、それぞれの磁性膜3,5,6を磁路方向端部において互いに磁気的に接続する。これにより、中心部磁性膜3を通る磁束が上下の磁性膜5,6を還流する構造とし、磁束と導体の錯交を減じ、渦電流の発生を低減し、高周波における導体抵抗の増加を抑制して効率の向上および使用できる周波数の高周波化を可能とする。

Claim (excerpt)：

磁性膜を取り巻くように導線を絶縁して螺旋状に巻回する構造の薄膜トランスにおいて、上記磁性膜の上下に磁性膜を配置し、かつ、それぞれの磁性膜が互いに磁気的に接続された構造を持つことを特徴とする高周波用薄膜トランス。

IPC (7)：

H01F 31/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 17/00 ,  H01F 19/00 ,  H01F 37/00 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-073658
  
• 特開昭64-051648