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J-GLOBAL ID：200903083733938445

超格子物質を作成するための化学蒸着プロセス

Inventor： パズ デ アロウジョ,カルロス エー. ,  渡辺 均 ,  スコット,マイケル シー. ,  三原 孝士
Applicant, Patent owner： シメトリックス コーポレイション ,  オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995504586
Publication number (International publication number)：1997504500
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】基板(17)を酸素炉内で予備ベーキングする(412)。化学蒸着プロセス(420)によってその基板(17)上に層状超格子酸化物の薄膜(60)を形成する。この皮膜(60)を急速熱処理ベーキングし(424)、A軸とC軸配向の混合相を有する粒子を得る。この皮膜(60)は、急速熱処理ベーキング(424)の前にイオン注入によって、また急速熱処理ベーキング(424)の後に酸素炉アニールによって処理することができる。この層状超格子酸化物の薄膜(60)の上に電極(77)を堆積させ、次いでその皮膜と電極を酸素炉でアニールする(432)。

Claim (excerpt)：

基板(17)を用意し、その基板(17)の上に層状超格子物質(60)を堆積させる段階を含む、層状超格子物質(60)を備えた電子デバイス(70)の製造方法において、その堆積段階において化学蒸着プロセス(420)を使用してその基板(17)上に層状超格子物質(60)を堆積させることを特徴とし、かつその層状超格子物質(60)を処理(422),(424),(426)して、高い分極能配向を有する粒子をその処理段階の前よりも多く含む相に結晶化させる段階をさらに特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (14)：

C30B 29/68 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/10 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (10)：

C30B 29/68 ,  C23C 16/56 ,  C30B 29/10 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 C