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J-GLOBAL ID：200903083736363141

半導体装置の製造方法

Inventor： 大谷 康人 ,  熊丸 邦明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242738
Publication number (International publication number)：1993055168
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】プラズマエッチングのダウンフロータイプエッチングにおいて、反応ガスに(CF4 +O2 )ガスを、またマスク材にホトレジストを使用した場合、エッチングの最中にホトレジストが、エッチング種との反応熱により温度上昇しても、自身の耐熱限界点を超えないようにする。【構成】エッチング最中のホトレジストの温度を決める主要因にホトレジストのエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力とを取り上げ、耐熱限界点を超えないエッチングレート(例えば310 nm/min 以下)とエッチング雰囲気の圧力(例えば0.29Pa 以上)との組合せ範囲を予め設定した後、該範囲内の条件でエッチングを行なう。

Claim (excerpt)：

反応ガスに(CF4 +O2 )ガスを、またマスク材にホトレジストをそれぞれ使用するダウンフロータイプエッチング工程において、該ホトレジストがエッチング種との反応熱により自身の耐熱限界点を超えることのない該ホトレジストのエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力との組合せ範囲をあらかじめ設定しておき、該組合せ範囲内のエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力とでプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。