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J-GLOBAL ID：200903083744673850

SOI構造の半導体基板管理方法、識別マーク印字装置および識別マーク読取装置

Inventor： 橋本 誠
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085652
Publication number (International publication number)：1996037137
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 SOI構造の半導体基板の管理を適切に行える半導体基板管理方法を提供する。【構成】 張り合わせ方式によりSOI構造のウェハーを製造する過程において、張り合わせ前にシリコン基板の第1印字領域10にウェハーのIDを印字する。一方、張り合わせ後に表面に露出したポリシリコン膜の第2の印字領域11に再びウェハーのIDを印字する。第1印字領域10と第2印字領域11とは中心線12に対して左右対称である。

Claim (excerpt)：

絶縁層の上に半導体層を形成したSOI構造の半導体基板の表面に形成された酸化膜を少なくとも除去して半導体基板を露出させ、半導体基板の当該露出した面に、当該半導体基板の識別マークを非接触方式で印字し、この印字された識別マークを光学的に読み取り、この読み取り結果に基づいて、前記半導体基板を管理する半導体基板管理方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12