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J-GLOBAL ID：200903083759518207
太陽電池の製造法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995308707
Publication number (International publication number)：1997148597
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 化合物半導体を用いた光電変換素子において、変換効率の高い光電変換素子を得る。【解決手段】 p型半導体と集電体との間に硫化銅を含む層を介在させた基板を作成し、その後該基板のp型半導体上にn型化合物半導体を形成することにより太陽電池を構成する製造法。
Claim (excerpt)：
少なくともp型半導体とn型化合物半導体を用いた太陽電池の製造法において、p型半導体と集電体との間に硫化銅を含む層を介在させた基板を作成し、その後該基板のp型半導体上にn型化合物半導体を形成することを特徴とする太陽電池の製造法。
Patent cited by the Patent：
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