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J-GLOBAL ID：200903083759722343

シリコンナノワイヤおよびその製造方法

Inventor： 李 銀 京 ,  崔 秉 龍
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006032977
Publication number (International publication number)：2006225258
Application date： Feb. 09, 2006
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】低次元ナノ構造を有し、大きさの制御が容易であり、発光特性に優れたシリコンナノワイヤおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンから形成されるコア部と、前記コア部を取り囲み、窒化シリコンから形成されるシェル部と、を備えることを特徴とするシリコンナノワイヤ、およびその製造方法である。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

シリコンから形成されるコア部と、 前記コア部を取り囲み、窒化シリコンから形成されるシェル部と、 を備えることを特徴とする、シリコンナノワイヤ。

IPC (3)：

C01B 33/02 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

FI (3)：

C01B33/02 Z ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

F-Term (12)：

4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072NN30 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU30 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC03 ,  5F045DA56

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 細線を有する素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-256045   Applicant：ソニー株式会社