Pat

J-GLOBAL ID：200903083768122553

窒化物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996294711
Publication number (International publication number)：1998145000
Application date： Nov. 07, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【目的】 主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることにより、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して、n型ドーパントがドープされた第1のn型窒化物半導体層、若しくはn型ドーパントよりなるメタル層が形成されており、その第1のn型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、n型ドーパントが第1のn型窒化物半導体層よりも少量でドープされた第2のn型窒化物半導体層が形成されている。

Claim (excerpt)：

インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して、n型ドーパントがドープされた第1のn型窒化物半導体層が形成されており、その第1のn型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、n型ドーパントが第1のn型窒化物半導体層よりも少量でドープされた第2のn型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-113484   Applicant：豊田合成株式会社
• 特開平3-154384
  
• 特開平3-173187
  
• 特開昭63-198392