Pat

J-GLOBAL ID：200903083772466429

半導体素子の製造方法

Inventor： 田 谷 豊 宏 ,  中 山 清二郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994318719
Publication number (International publication number)：1996181090
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダイシング時のチッピング等で発生した屑に起因するSiチップの表面破損を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 集積回路が形成されたSiウエハ11の表面に、熱収縮性テープ13を貼り付けるテープ貼付工程と、Siウエハ11を切断してSiチップ15を作製するダイシング工程と、加熱処理を施すことによってSiチップ15の表面の熱収縮性テープ13を収縮させ、これにより集積回路内に形成されたボンディングパッド12を露出させるテープ処理工程と、露出したボンディングパット12をリードフレームと結線する結線工程と、収縮後の熱収縮性テープ13を剥離することなくSiチップ15を封止する封止工程とを備える。

Claim (excerpt)：

集積回路が形成された半導体ウエハの表面に、所定の処理で収縮する保護テープを貼り付けるテープ貼付工程と、前記半導体ウエハを切断して半導体チップを作製するダイシング工程と、前記所定の処理を施すことによって前記半導体チップの表面の前記保護テープを収縮させ、これにより前記集積回路内に形成されたボンディングパッドを露出させるテープ処理工程と、露出した前記ボンディングパットを外部リードと結線する結線工程と、収縮後の前記保護テープを剥離することなく前記半導体チップを封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28

FI (3)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 P