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J-GLOBAL ID:200903083774596540
同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001333257
Publication number (International publication number):2003142680
Application date: Oct. 30, 2001
Publication date: May. 16, 2003
Summary:
【要約】【課題】 不純物金属の含有を不可避的な含有にまで抑え、高性能量子素子の実現をより現実的なものとする同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法を提供する。【解決手段】 28Si、29Si、又は30Siのいずれか一つの同位体が自然同位体組成より濃縮されるとともに、少なくとも酸素若しくはフッ素のいずれかを含む一方、不純物金属の含有は不可避的のみとされた同位体シリコンフレーク若しくは同位体シリコン粉末のいずれかをロッド状に成形した後、帯域溶融法により、その成形物から直径がナノメートルオーダーの同位体シリコンナノワイヤーを作製する。
Claim (excerpt):
28Si、29Si、又は30Siのいずれか一つの同位体が自然同位体組成より濃縮され、不純物金属の含有が不可避的のみに抑えられた、直径がナノメートルオーダーにあることを特徴とする同位体シリコンナノワイヤー。
IPC (5):
H01L 29/06 601
, H01L 29/06
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C01B 33/02
FI (5):
H01L 29/06 601 N
, H01L 29/06 601 L
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C01B 33/02 Z
F-Term (10):
4G072AA01
, 4G072BB03
, 4G072BB05
, 4G072DD09
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072LL03
, 4G072NN05
, 4G072TT30
, 4G072UU30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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同位体超格子半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-065015
Applicant:学校法人慶應義塾
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シリコン針状結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-154115
Applicant:電気化学工業株式会社
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高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-069557
Applicant:科学技術庁金属材料技術研究所長
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