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J-GLOBAL ID：200903083782270786

シリコンウェーハの熱処理方法

Inventor： 佐藤 淳 ,  芳野 史朗
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994135067
Publication number (International publication number)：1995321104
Application date： May. 25, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの酸化膜耐圧向上のため、水素ガスを使用する熱処理において、被処理ウェーハの金属汚染や変形を防止し、かつ安全性を確保できるようにする。【構成】 波長0.5〜2μmの赤外線を発振する赤外ランプ1を炉内上部に取り付けたランプアニール装置2の内壁をステンレス鋼板3で覆い、この中に被処理ウェーハ4を装填する。炉内を0.4Torrに保持し、4%の水素ガスを含むアルゴンガス雰囲気中で1000°C、10secの熱処理を行う。高温となったステンレス鋼板に含まれるCr,Niなどが触媒作用で還元剤として作用し、雰囲気ガス中の水素ガス濃度が低いにもかかわらず、デバイス形成層の不純物酸素は容易に外方拡散する。炉内をステンレス鋼板で覆わず、被処理ウェーハと還元剤とを装填して前記熱処理を行ってもよい。この方法による被処理ウェーハの酸化膜耐圧Cモード良品率(規格8MV)は90%以上である。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハに生じた自然酸化膜を除去した後、急速熱処理可能な装置を用いて還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で熱処理を行うことによって、前記シリコンウェーハの酸化膜耐圧を向上させることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-177539
  
• 特開昭61-193456
  
• 特開平2-177539
  
• 特開昭61-193456