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J-GLOBAL ID：200903083788752740

半導体光電陰極

Inventor： 菅 博文 ,  新垣 実 ,  太田 正志 ,  高木 康文 ,  内山 昌一
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000348376
Publication number (International publication number)：2002150928
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 AlxGa1-xN(0≦x≦1)から形成された光吸収層を有し、量子効率の高い半導体光電陰極を提供する。【解決手段】 表面層5側から入射された紫外域光は、表面層5を透過して光吸収層4に到達する。光吸収層4に達した光は、光吸収層4内で吸収され、光吸収層4内で光電子が発生される。光電子は、光吸収層4内を拡散し、光吸収層4と表面層5との界面へと至る。光吸収層4と表面層5との界面付近ではエネルギーバンドが湾曲しているため、光電子の持つエネルギーは表面層5における電子親和力よりも大きくなり、光電子は容易に外部へと放出される。ここで、光吸収層4はMgの含有濃度が2×1019cm-3以上1×1020cm-3以下であるAl0.3Ga0.7N層から形成されているため、量子効率の高い、Solar-blind型の半導体光電陰極1が得られる。

Claim (excerpt)：

入射光により励起された光電子を放出する半導体光電陰極において、前記入射光を吸収して前記光電子を発生させる光吸収層は、Mgの含有濃度が2×1019cm-3以上1×1020cm-3以下であるAlxGa1-xN層(0≦x≦1)から形成されることを特徴とする半導体光電陰極。

IPC (3)：

H01J 1/34 ,  H01J 29/38 ,  H01J 31/50

FI (3)：

H01J 1/34 C ,  H01J 29/38 ,  H01J 31/50 Z

F-Term (6)：

5C035CC01 ,  5C037GG03 ,  5C037GH05 ,  5C037GH18 ,  5C037GH19 ,  5C235CC01