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J-GLOBAL ID：200903083792060933

半導体評価装置及びその評価方法

Inventor： 土屋 憲彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189205
Publication number (International publication number)：1997033460
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 実際の生産ラインにおいて、半導体ウェーハ表面の不純物を109 atoms/cm2 以下のレベルの検出感度で分析を行うことができ、かつ不純物を識別することができる半導体評価装置及びその評価方法を提供することにある。【解決手段】 半導体ウェーハの評価が行われる測定室と、前記測定室内に設置され、前記半導体ウェーハを固定する保持器と、前記半導体ウェーハ表面に任意の波長のX線束を入射する入射光学手段と、前記X線束の入射角度及び前記半導体ウェーハの位置を調整する調整手段と、前記半導体ウェーハ表面から発生する蛍光X線を検出するX線検出手段を具備している。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの評価が行われる測定室と、前記測定室内に設置され、前記半導体ウェーハを固定する保持器と、前記半導体ウェーハ表面に任意の波長のX線束を入射する入射光学手段と、前記X線束の入射角度及び前記半導体ウェーハの位置を調整する調整手段と、前記半導体ウェーハ表面から発生する蛍光X線を検出するX線検出手段を具備することを特徴とする半導体評価装置。