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J-GLOBAL ID:200903083794352559

超電導回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 亀井 弘勝 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993133615
Publication number (International publication number):1994350147
Application date: Jun. 03, 1993
Publication date: Dec. 22, 1994
Summary:
【要約】【構成】 基板3上に、炭素クラスター超電導体薄膜からなる回路1と、この回路1を被覆する絶縁性保護膜2とを形成する。【効果】 回路1が炭素クラスター超電導体薄膜からなるので、回路1の臨界温度Tcを高くすることができ、安定性、信頼性に優れるものとなる。炭素クラスターの構造が立方晶の異方性がないため回路の作成が容易となる。
Claim (excerpt):
基板上に、炭素クラスター超電導体薄膜からなる回路と、この回路を被覆する絶縁性保護膜とが形成されていることを特徴とする超電導回路。
IPC (4):
H01L 39/06 ZAA ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  H01L 39/12 ZAA

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