半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002260304
Publication number (International publication number)：2003158130
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜と電極又は配線との密着性を十分に保持できるようにすると共に、容量素子の誘電率の低下を防ぐことができるようにする。【解決手段】容量素子形成用の凹部6が形成された第3の層間絶縁膜5の上に金属層7Aを形成した後、水洗により金属層7Aに対して酸化処理を行なう。これにより、十分に酸化した金属層7Aよりなる密着層7が形成される。その後、密着層7の上に、容量素子の下部電極となるPt膜8Aを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜の上に金属層を形成する工程と、酸化力を持つ液体を用いて前記金属層に対して酸化処理を行なうことにより密着層を形成する工程と、前記密着層の上に電極又は配線を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 27/108

FI (6)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 621 B

F-Term (59)：

4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104BB06 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD77 , 4M104EE02 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH09 , 5F033HH07 , 5F033HH35 , 5F033JJ04 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ89 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS26 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033WW02 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F083AD24 , 5F083AD43 , 5F083AD49 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体キャパシターを具備する半導体メモリ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-155598 Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (2)

特開平3-165038
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-327818 Applicant：松下電子工業株式会社

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