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J-GLOBAL ID：200903083828218423

半導体量子ドット素子とその製造方法

Inventor： 斎藤 英彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996077772
Publication number (International publication number)：1997270508
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 量子ドット近傍での量子井戸構造におけるキャリヤー消費を無くし、効率的に量子ドットヘキャリヤー注入が行うことのできる、量子ドット素子とその製造方法を提供することである。【解決手段】 AlGaAsからなる障壁層2と、AlGaAsよりもバンドギャップが小さく、格子定数の異なるInGaAsの量子ドット4を備え、障壁層2と量子ドット4の間に、AlGaAsよりもバンドギャップが大きく、InGaAsと格子定数の等しいInAlAsからなる、数原子層厚の中間層3を備えて構成される。

Claim (excerpt)：

第1の半導体からなる半導体障壁層と、前記第1の半導体よりもバンドギャップが小さく、格子定数の異なる第2の半導体からなる半導体量子ドット構造を備えた半導体量子ドット素子において、前記半導体障壁層と前記半導体量子ドット構造の間に、前記第1の半導体よりもバンドギャップが大きく、前記第2の半導体と格子定数の等しい第3の半導体からなる、数原子層厚の半導体中間層を備えることを特徴とする半導体量子ドット素子。

IPC (6)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18