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J-GLOBAL ID：200903083832412021

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993049268
Publication number (International publication number)：1994267907
Application date： Mar. 10, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 側壁コンタクト構造用の接続孔を開口するためのドライエッチングを高速性,高異方性,高選択性をもって行う。【構成】 1層目ポリサイド膜3、1層目SiO2 層5a、2層目ポリシリコン層6、2層目SiO2 層5b、3層目ポリシリコン層7、3層目SiO2 層5cが順次積層された積層膜を、c-C4 F8 /S2 F2 混合ガスを用いてジャストエッチングする。途中でポリシリコン層2,7が露出しても、S2 F2 からF*が補われるのでエッチングが途中で停止せず、またSによるレジスト・パターン13の表面保護および接続孔8の側壁保護が行われるので選択性や異方性も低下しない。オーバーエッチングではc-C4 F8 /CH2 F2 混合ガスを用い、F* 生成量を減じ炭素系ポリマーの堆積を促進することで1層目ポリサイド膜3に対する高選択性を達成する。

Claim (excerpt)：

シリコン化合物層の膜厚方向の中途部にこのシリコン化合物層により相互に離間されたn層(ただし、nは自然数を表す。)のシリコン系材料層が介在されてなる積層膜を、その下層側の下地シリコン系材料層に対して選択性を確保しながらエッチングするドライエッチング方法において、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10から選ばれる少なくとも1種類のフッ化イオウとフルオロカーボン系化合物とを含むエッチング・ガスを用い、被エッチング領域の少なくとも一部にイオウを堆積させながら、前記積層膜を実質的に前記下地シリコン系材料層が露出する直前までエッチングするジャストエッチング工程と、エッチング反応系におけるフッ素系化学種の生成比を前記ジャストエッチング工程におけるよりも相対的に減じた条件下で前記積層膜の残余部をエッチングするオーバーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。