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J-GLOBAL ID：200903083841667415

半導体製造装置のクリーニング方法

Inventor： 平井 靖雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
Agent (1)： 中島 洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992340167
Publication number (International publication number)：1994188223
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置のドライクリーニング方法に関し,チャンバ内壁に堆積した成膜を完全に除去することができるようにして,エッチング残りに起因するパーティクルの発生を無くすと共に,装置の稼働率を向上させる。【構成】 半導体装置の製造に用いられるプラズマCVD装置のチャンバ内をクリーニングする際に,チャンバ内真空度を,半導体装置に対する成膜時真空度〔Torr〕×1.2以上に設定したプラズマエッチングにより,チャンバ内をクリーニングする。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造に用いられるプラズマCVD装置のチャンバ内をクリーニングする方法であって,チャンバ内真空度を,前記半導体装置に対する成膜時真空度〔Torr〕×1.2以上に設定したプラズマエッチングにより,前記チャンバ内をクリーニングすることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31