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J-GLOBAL ID：200903083843589667

半導体集積回路装置およびその実装方法

Inventor： 高橋 和史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993295842
Publication number (International publication number)：1995147299
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路装置のフリップチップ実装において、組立後の重量の軽減、およびケースの簡略化を可能とし、LSIチップの熱上昇を防止させる半導体集積回路装置の実装方法の提供。【構成】LSIチップの素子領域およびパッド電極の周囲にシールリングと接着させる領域を設け、セラミック基盤の回路パターンとLSIチップをシールリングを介して接続させることによりLSIチップの気密封止を行うとともに、バンプ電極を介して電気的接続を得る。シールリングは従来、気密封止に使われていたキャップと比較して重量的に軽く、また、バンプ電極以外の放熱経路を形成する。

Claim (excerpt)：

LSIチップと誘電体基板とをバンプ電極を用いてフリップチップ実装する半導体集積回路の実装方法において、前記LSIチップと前記誘電体基板とに接続されるシールリングを用いて前記LSIチップの素子領域およびパッド電極を気密封止することを特徴とする半導体集積回路装置の実装方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-030544
  
• 特開昭62-217619
  
• 特開平2-081447