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J-GLOBAL ID：200903083844724800

マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリングガン

Inventor： 久保 謙一 ,  小林 保男
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329346
Publication number (International publication number)：1994172995
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Jun. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】均一にスパッタ粒子を堆積することができ、スパッタリング処理空間全体のスパッタガス圧を低く維持した状態でスパッタリングすることが可能であり、さらに高効率でリアクティブスパッタリングを実施することができるマグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリングガンを提供すること。【構成】真空容器10と、スパッタ粒子を射出するためのスパッタリングガン30と、真空容器内においてウェハを支持する支持体14と、真空容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段14とによりマグネトロンスパッタリング装置を構成する。スパッタリングガン30は、凹部32を有するターゲット31と、凹部にスパッタリングガスを供給するスパッタリングガス供給手段18と、凹部に電界を形成する電界形成手段34,45 と、凹部に前記電界に対して直交する成分を含む磁界を形成する磁界形成手段38,39 とを有する。

Claim (excerpt)：

真空容器と、その中に配置され、スパッタ粒子を射出するためのスパッタリングガンと、前記真空容器内において薄膜を形成すべき被処理体を支持する支持体と、前記真空容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを具備し、前記スパッタリングガンは、凹部を有するターゲットと、前記凹部にスパッタリングガスを供給するスパッタリングガス供給手段と、前記凹部に電界を形成して前記スパッタリングガスのプラズマを生成する電界形成手段と、前記凹部に前記電界に対して直交する成分を含む磁界を形成する磁界形成手段とを有し、前記凹部内に形成されたプラズマによって前記ターゲットからスパッタ粒子が叩き出され、前記反応ガス供給手段は、前記凹部と離隔した領域において前記スパッタ粒子に反応ガスを供給し、前記スパッタ粒子と前記反応ガスとが反応して形成された反応生成物が前記被処理体上に堆積されることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。

IPC (3)：

C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-048071
  
• 特開平1-116068
  
• 特開平4-048071
  
• 特開平1-116068