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J-GLOBAL ID：200903083868389069

プラズマ処理装置

Inventor： 師岡 久雄 ,  高村 秀一 ,  上杉 喜彦 ,  大野 哲靖
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  高村 秀一
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001116178
Publication number (International publication number)：2002313737
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】処理効率を高くできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 陰極2と陽極3との間に、複数の貫通孔を有する板状体であるシース幅縮小部材10が配置され、このシース幅縮小部材10の陰極2からの距離が、シース幅縮小部材10を設けないときの陰極シース幅よりも小さく、陰極2近傍に、マグネトロン磁場発生手段(磁石20)、および/または、発生したプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場発生手段を有するプラズマ処理装置。

Claim (excerpt)：

陰極と陽極との間に、複数の貫通孔を有する板状体であるシース幅縮小部材が配置され、このシース幅縮小部材の陰極からの距離が、シース幅縮小部材を設けないときの陰極シース幅よりも小さく、陰極近傍に、マグネトロン磁場発生手段、および/または、発生したプラズマを閉じ込めるためのカスプ磁場発生手段を有するプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 C

F-Term (42)：

4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075FC13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA19 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030KA39 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BB07 ,  5F004BB12 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045CA15 ,  5F045DP09 ,  5F045EB02 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19