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J-GLOBAL ID：200903083877698562
イオン注入法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014721
Publication number (International publication number)：1995221043
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板上に形成された半導体薄膜にイオン注入を行い、ついでエネルギービーム照射を行って注入イオンの活性化を行う際に、半導体薄膜のエネルギービーム照射による膜の荒れを防止し、低抵抗の半導体薄膜を得る。【構成】 エネルギービーム照射の際に、基板を100〜600°Cに加熱する。バケット型イオン源を用いれば高速でのイオン注入が可能であり、加熱温度を600°C以下とすればガラス基板が使用可能となる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された半導体薄膜にイオン源からのイオンを加速電圧0.5〜10kVで注入したのち、該基板を加熱しながらエネルギービームの照射を行うことを特徴とするイオン注入法。
IPC (4)：
H01L 21/265
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/265 B
, H01L 21/265 P
, H01L 29/78 311 P
