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J-GLOBAL ID：200903083880998844
半導体レーザ装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993130858
Publication number (International publication number)：1994342957
Application date： Jun. 01, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低雑音で高出力まで横モードの安定な半導体レーザ装置を実現する。【構成】 活性層(Ga1-XAlXAs)4の主面の少なくとも一方の側に、一導電型の第一光ガイド層(Ga1-Y1AlY1As)5と、第二光ガイド層(Ga1-Y2AlY2As)6とを備えた。第二光ガイド層6上には、それと逆の導電型でストライプ状の窓7aを有する第一電流ブロック層(Ga1-Z1AlZ1As)7と、ストライプ状の窓8aを有する第二電流ブロック層(Ga1-Z2AlZ2As)8とを形成した。ストライプ状の窓7a,8aは光ガイド層5,6と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えた。窓8aの幅は窓7aの幅よりも広く、AlAs混晶比の値X,Y1,Y2,Y3,Z1およびZ2の間に、Z2>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2,Z1>Y2の関係とした。
Claim (excerpt)：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As第一光ガイド層、Ga1-Y2AlY2As第二光ガイド層を順次備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓1を有するGa1-Z1AlZ1As第一電流ブロック層、ストライプ状の窓2を有するGa1-Z2AlZ2As第二電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓1および窓2には、前記光ガイド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えてなり、前記窓2の幅は前記窓1の幅よりも広く、AlAs混晶比の値X,Y1,Y2,Y3,Z1およびZ2の間に、Z2>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2,Z1>Y2の関係を成立させたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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