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J-GLOBAL ID：200903083881514425

半導体レーザー

Inventor： 岡崎 洋二 ,  福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006368
Publication number (International publication number)：1999204880
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 波長450nm以上の青色領域や緑色領域のレーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体レーザーを得る。【解決手段】 半導体レーザーの活性層を、In1-YGaYNZAs1-Zからなる量子井戸活性層15とする。

Claim (excerpt)：

In1-YGaYNZAs1-Zからなる量子井戸活性層を有することを特徴とする半導体レーザー。