Pat
J-GLOBAL ID：200903083894500415
薄膜製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176197
Publication number (International publication number)：1999269652
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 原子層蒸着法による薄膜製造方法。【解決手段】 基板がローディングされたチャンバ1を所定の温度と圧力に保つ段階100と、チャンバ1に第1反応物を注入し、基板上に化学吸着させる段階200と、化学吸着した第1反応物が形成された基板3を含むチャンバに不活性ガスで1次パージして化学吸着した第1反応物上に物理吸着した第1反応物を残す段階300と、化学吸着及び物理吸着した第1反応物11が形成された基板を含むチャンバに第2反応物を注入及び反応させ薄膜を形成する段階400と、薄膜が形成されたチャンバに不活性ガスで2次パージする段階500を含む、薄膜製造方法。
Claim (excerpt)：
基板がローディングされたチャンバを所定の温度と圧力に保つ段階と、前記チャンバに第1反応物を注入し、前記基板上に化学吸着させる段階と、前記化学吸着した第1反応物が形成された基板を含むチャンバに不活性ガスで1次パージして前記化学吸着した第1反応物上に物理吸着した第1反応物を残す段階と、前記化学吸着及び物理吸着した第1反応物が形成された基板を含むチャンバに第2反応物を注入及び反応させ薄膜を形成する段階と、前記薄膜が形成されたチャンバに不活性ガスで2次パージする段階を含むことを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (5)：
C23C 16/44
, C23C 16/40
, C23C 18/08
, H01L 21/203
, H01L 21/31
C23C 16/44 A
, C23C 16/40
, C23C 18/08
, H01L 21/203 M
, H01L 21/31 D
