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J-GLOBAL ID：200903083900313592

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 中村 亮 ,  手銭 雄太 ,  伊藤 潤 ,  牛田 泰久
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (3)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002345036
Publication number (International publication number)：2004179457
Application date： Nov. 28, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【目的】サファイア基板とIII族窒化物系化合物半導体層とを簡易にかつ安定して優れた鏡面度に劈開できるようにする。【構成】サファイアa面基板上にスパッタ法でIII族窒化物系化合物半導体からなるバッファ層を形成し、当該バッファ層の上に周知の方法で素子機能を奏するIII族窒化物系化合物半導体層を形成すると、サファイア基板のm軸とIII族窒化物系化合物半導体層のm軸とが平行になる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

サファイア基板の上に該サファイア基板のm軸と平行なm軸を持つIII族窒化物系化合物半導体層を形成するステップと、 前記サファイア基板及び前記III族窒化物系化合物半導体層をそれらのm面で劈開するステップと、 を含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S5/02 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

FI (3)：

H01S5/02 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 610

F-Term (21)：

5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD08 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F073AA55 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073EA15 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28