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J-GLOBAL ID：200903083905029159

強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 阿部 能之
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 菅 直人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145596
Publication number (International publication number)：1996235932
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 例えば焦電センサー等に用いる強誘電体薄膜素子、特に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する素子の製造方法に係り、所定の化学量論組成を有する結晶性のよい、しかも膜質の良好な強誘電体薄膜素子を、工業的にも容易に製造できるようにする。【構成】 基板上に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子を製造するにあたり、上記基板上に強誘電体薄膜を構成する膜厚が0.1μm以上で0.3μm以下の薄膜をスパッタリング法で形成する第1工程と、その基板上に形成された薄膜をチャンバー内で加熱処理する第2工程とを交互に複数回繰り返して基板上に所定厚さの強誘電体薄膜を形成すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に膜厚が1.5μm以上の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子を製造するにあたり、上記基板上に強誘電体薄膜を構成する膜厚が0.1μm以上で0.3μm以下の薄膜をスパッタリング法で形成する第1工程と、その基板上に形成された薄膜をチャンバー内で加熱処理する第2工程とを交互に複数回繰り返して上記基板上に所定厚さの強誘電体薄膜を形成すことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6)：

H01B 3/00 ,  C01B 13/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  G01J 5/12

FI (6)：

H01B 3/00 G ,  C01B 13/14 Z ,  C23C 14/08 M ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/58 A ,  G01J 5/12