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J-GLOBAL ID：200903083906060823
微小レーザー
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993229206
Publication number (International publication number)：1995007200
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコンをベース材料として、高性能の発光デバイスを作製する。【構成】 希土類元素をドープされたCaF2 薄膜で作られたシリコンベースの微小共振器は、半導体基板材料(240)と半導体基板材料(240)の上に成長させたCaF2 膜層(234)とを含む。このCaF2 膜層(234)は、CaF2 膜層(234)が光学的または電気的にポンピングされた時に、CaF2膜層(234)から狭い線幅を有するスペクトル放出を引き起こさせるのに十分な量の希土類元素ドーパントの予め定められた量をドープされている。
Claim (excerpt)：
ドープされた薄膜材料で作られた、シリコンをベースとする微小レーザーであって:シリコンを含む半導体基板材料、前記半導体基板材料の上に成長された少なくとも1つの膜層であって、前記膜層がポンピングされることによってスペクトルの放出を引き起こすのに十分な予め定められた量のドーパントを含む1つの膜層、を含み、前記膜層が前記放出スペクトルの波長の大きさのオーダー以内の厚さを有しており、前記放出スペクトルが狭い線幅を有し、一般的に前記膜層の結晶形態に敏感でない、微小レーザー。
IPC (5)：
H01S 3/07
, H01L 27/15
, H01S 3/085
, H01S 3/16
, H01S 3/18
