半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000325801
Publication number (International publication number)：2002134755
Application date： Oct. 25, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】ボディコンタクトを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート容量を低減し、トランジスタの速度性能劣化を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル領域と、チャネル領域を挟むように形成されたソース領域及びドレイン領域と、チャネル領域に接続され、ソース領域及びドレイン領域に隣接するボディ領域とを有する半導体層と、チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、少なくともドレイン領域とボディ領域との界面近傍のボディ領域上に形成され、ゲート電極と電気的に絶縁されたダミー電極と、ダミー電極が形成された領域を除くボディ領域内に形成されたボディコンタクト領域とを有する。

Claim (excerpt)：

チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域に接続され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に隣接するボディ領域とを有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、少なくとも前記ドレイン領域と前記ボディ領域との界面近傍の前記ボディ領域上に形成され、前記ゲート電極と電気的に絶縁されたダミー電極と、前記ダミー電極が形成された領域を除く前記ボディ領域内に形成されたボディコンタクト領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 29/78 626 B , H01L 21/88 Z , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 K

F-Term (73)：

5F033GG03 , 5F033HH04 , 5F033HH27 , 5F033MM07 , 5F033PP06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ31 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033UU04 , 5F033VV01 , 5F033VV06 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F040DA11 , 5F040DB09 , 5F040DC01 , 5F040EB12 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EC16 , 5F040ED01 , 5F040ED04 , 5F040ED09 , 5F040EF02 , 5F040EF18 , 5F040EH02 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040EL02 , 5F040EM01 , 5F040FA05 , 5F040FB02 , 5F040FC19 , 5F110AA02 , 5F110AA04 , 5F110AA15 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN72 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開平4-142775

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