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J-GLOBAL ID:200903083947706037

酸化物超電導体とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡邉 一平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992267408
Publication number (International publication number):1994114812
Application date: Oct. 06, 1992
Publication date: Apr. 26, 1994
Summary:
【要約】【構成】 基板と該基板上に形成された酸化物超電導層からなる酸化物超電導体、あるいは耐酸化性金属基板と該耐酸化性金属基板上に中間層を介して形成された酸化物超電導層とからなる酸化物超電導体であって、酸化物超電導層と接する基板あるいは中間層の面粗度が、平均表面粗さ(Ra)0.1〜0.7μmであることを特徴とする酸化物超電導体。【効果】 酸化物超電導層の溶融あるいは部分溶融温度での焼成時の液相流出が防げるので、十分な膜厚の酸化物超電導層を得ることができる。
Claim (excerpt):
基板と該基板上に形成された酸化物超電導層とからなる酸化物超電導体であって、酸化物超電導層と接する基板の面粗度が、平均表面粗さ(Ra)0.1〜0.7μmであることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (5):
B28B 1/32 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 41/87 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

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