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J-GLOBAL ID:200903083953578903

電圧レベルシフター回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997041030
Publication number (International publication number):1998242814
Application date: Feb. 25, 1997
Publication date: Sep. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】 入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供する。【解決手段】 本発明の電圧レベルシフター回路は、第1および2のトランジスタP1、P2と、入力信号を受け取り、第1および第2のノードに供給するそれぞれの電圧を変化させるスイッチ手段N1、N2と、一端に高電圧が印加され、他端と第3のノードnd3とが接続される抵抗等価素子R1を備えている。第1のノードnd1には、第1のトランジスタP1のソース/ドレインの他方と第2のトランジスタP2の第2のゲートとが接続されている。第2のノードnd4には、第2のトランジスタP2のソース/ドレインの他方と第1のトランジスタP1の第2のゲートとが接続されている。第3のノードnd3には、第1および2のトランジスタP1、P2のソース/ドレインの一方が接続されている。
Claim (excerpt):
ソース、ドレイン、第1および第2のゲートを有する第1のトランジスタと、ソース、ドレイン、第1および第2のゲートを有する第2のトランジスタと、入力信号を受け取り、第1および第2のノードに供給するそれぞれの電圧を変化させるスイッチ手段とを備える電圧レベルシフター回路であって、該第1および2のトランジスタのソース/ドレインの一方が第3のノードに接続され、該第1および2のトランジスタのそれぞれの第1のゲートが該第3のノードに接続され、該第1のトランジスタのソース/ドレインの他方と該第2のトランジスタの第2のゲートとが該第1のノードに接続され、該第2のトランジスタのソース/ドレインの他方と該第1のトランジスタの第2のゲートとが該第2のノードに接続され、一端と他端とを有する抵抗等価素子であって、該一端に高電圧が印加され、該他端と該第3のノードとが接続される抵抗等価素子をさらに備えた電圧レベルシフター回路。
IPC (2):
H03K 5/02 ,  H03K 19/0185
FI (2):
H03K 5/02 L ,  H03K 19/00 101 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-037823
  • 電圧変換器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-002682   Applicant:日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド
  • 特開昭60-033734

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