Pat
J-GLOBAL ID：200903083955370684
マスクパターン作成方法および装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998251823
Publication number (International publication number)：2000066370
Application date： Aug. 24, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。【解決手段】 露光後に形成したい目標パターンのデータを作成し、所定の微細線パターンデータと前記目標パターンデータとの論理演算を行ない、該論理演算結果に基づいてマスクパターン面を複数種類の領域に分類し、領域の種類に応じて要求または許容される単数または複数の光透過率を設定し、同一の光透過率を選択可能な領域を光透過率ごとにグループ化し、光透過率ごとに形成されグループ化されたパターンを合成してマスクパターンを得る。さらに、前記グループ化後、および合成後のパターンが所定のマスクパターン設計ルールを満たしているか否かをチェックし、満たしていない場合は適宜修正する。
Claim (excerpt)：
微細線パターンと最小線幅が該微細線パターンの線幅より広いマスクパターンとを重ね焼きして前記微細線パターンの線幅に相当する最小線幅を有する目標パターンを形成するための多重露光において用いられる前記マスクパターンの作成方法であって、露光後に形成したい目標パターンのデータを作成する工程と、所定の微細線パターンデータと前記目標パターンデータとの論理演算を行なう工程と、該論理演算結果に基づいてマスクパターン面を複数種類の領域に分類する工程と、領域の種類に応じて要求または許容される単数または複数の光透過率を設定し、同一の光透過率を選択可能な領域を光透過率ごとにグループ化する工程と、前記光透過率ごとに形成されたグループ化パターンを合成する工程とを具備し、この合成されたパターンのデータをマスクパターンデータとすることを特徴とするマスクパターン作成方法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
