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J-GLOBAL ID：200903083967295750

シリコン基板に埋め込まれた酸化膜の欠陥検出方法

Inventor： 浜口 功 ,  藤田 哲男 ,  矢野 孝幸 ,  梶山 健二
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129739
Publication number (International publication number)：1994338550
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SIMOXウェハ内部に注入されたキャリアの捕集量の相異によって埋め込酸化膜の欠陥を短時間で正確に検出する。【構成】 SIMOXウェハの表面に取り付けた電極にバイアスを印加して、ウェハ内部にウェハ表面に対して垂直な電場を発生させる。そこに粒子線または光線を照射して、SIMOXウェハ内部にキャリアを注入する。これらのキャリアは上記の電場によって電極まで運ばれ外部信号として取り出されるが、埋め込酸化膜によって絶縁された領域のキャリアは取り出されることなく、やがて再結合して消滅する。これに対して埋め込酸化膜に欠陥があって、表層シリコン層と基板シリコンが導通している箇所に注入されたキャリアはより多くが電極に到達し外部信号として取り出される。そこで、粒子線または光線をSIMOXウェハ上で2次元的に走査してキャリアの捕集量を調べれば埋め込酸化膜中の欠陥分布が検出できる。

Claim (excerpt)：

酸素のイオン注入によってシリコン基板内部に埋め込酸化膜を形成させたシリコン基板において、その両側表面に電極を形成した基板(1)に対して、その表面を粒子線あるいは光線で走査することにより、シリコン基板内にキャリアを注入しその一部を、上記電極に、正負いずれかのバイアス電圧を印加して外部信号として取り出し、粒子線あるいは光線の走査にともなう、この外部信号の変動を調べることを特徴とする、シリコン基板に埋め込まれた酸化膜の欠陥検出方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/76