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J-GLOBAL ID：200903083971676270

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 細井 義博 ,  増利 賢治
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994263408
Publication number (International publication number)：1996125080
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】内部の半導体素子を外部電気回路に正確、且つ確実に電気的に接続することができる半導体装置を提供することにある。【構成】上面中央部に半導体素子3が搭載される搭載部1a及び該搭載部1a周辺から外周部にかけて導出するメタライズ配線層4を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の搭載部1aに搭載され、電極が前記メタライズ配線層4に接続されている半導体素子3と、前記メタライズ配線層4にロウ材6を介して接合された外部リード端子2と、前記絶縁基体1、半導体素子3及び外部リード端子2の一部を被覆するモールド樹脂7とから成る半導体装置であって、前記外部リード端子2をメタライズ配線層に接合するロウ材6が金-錫-銀合金あるいは金-錫-パラジウム合金から成る。

Claim (excerpt)：

上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部及び該搭載部周辺から外周部にかけて導出するメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に搭載され、電極が前記メタライズ配線層に接続されている半導体素子と、前記メタライズ配線層にロウ材を介して接合される外部リード端子と、前記絶縁基体、半導体素子及び外部リード端子の一部を被覆するモールド樹脂とから成る半導体装置であって、前記外部リード端子をメタライズ配線層に接合するロウ材が金-錫-銀合金、あるいは金-錫-パラジウム合金から成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/48 ,  B23K 35/26 310 ,  H01L 23/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-096754
  
• 特開昭59-098545
  
• 特開平2-121360