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J-GLOBAL ID：200903083996523770

半絶縁性燐化インジュウム基体上に形成されたアンチモン化合物ベースを含むNPN型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： ウイリアム・イー・スタンチナ ,  トーマス・シー・ハセンバーグ
Applicant, Patent owner： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127404
Publication number (International publication number)：1994037104
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、通常のHBTよりも高いfmax を有する優れた特性のHBT装置を得ることを目的とする。【構成】 AlInAsまたはInPのN型エミッタ層18と、InGaAs、InP、またはAlInAsからなるN型コレクタ層14とそれらエミッタ層18とコレクタ層14との間に配置されたベース層16とよりなり、ベース層16がガリウム、砒素、およびアンチモンを含むことを特徴とする。ベース層16は例えば3元合金のGaAsSbで構成され、或いはGaAsとGaSbの交互の超格子層を含む歪層超格子から構成され、GaAs層とGaSb層のいずれかがSiのようなP型不純物でドープされているものが使用される。

Claim (excerpt)：

砒化アルミニウムインジュウム(AlInAs)および燐化インジュウム(InP)からなるグループから選択された材料を含むエミッタ層と、ガリウム(Ga)、砒素(As)、およびアンチモン(Sb)を含むベース層と、コレクタ層とを具備し、ベース層はエミッタ層とコレクタ層との間に配置されていることを特徴とするNPN型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-124830
  
• 特開平2-097026