結晶性無機膜とその製造方法、半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：柳田征史 , 佐久間剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007324393
Publication number (International publication number)：2009147192
Application date： Dec. 17, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

【課題】液相法を用いて、プラスチック基板の耐熱温度以下の比較的低温プロセスでも結晶性が良好な無機膜を製造することができ、材料選択性も広い結晶性無機膜の製造方法を提供する。【解決手段】結晶性無機膜1は、金属元素及び/又は半導体元素を含む無機物からなり、無機原料、有機前駆体原料、及び有機無機複合前駆体原料からなる群より選ばれた少なくとも1種の結晶性無機膜1の構成元素を含む原料と、有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により結晶性無機膜1のすべての構成元素を含む非単結晶膜12を成膜する工程(A)と、非単結晶膜12に含まれる少なくとも1種の有機成分の分解温度以下の条件で、非単結晶膜12に含まれるすべての有機成分を分解する工程(B)と、非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で、非単結晶膜12を加熱して結晶化させる工程(C)とを順次実施して製造されたものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属元素及び/又は半導体元素を含む無機物からなる結晶性無機膜の製造方法において、前記無機物の構成元素を含む、無機原料、有機前駆体原料及び有機無機複合前駆体原料からなる群より選ばれた少なくとも1種の原料と、有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により前記無機物のすべての構成元素を含む非単結晶膜を成膜する工程(A)と、該非単結晶膜に含まれる少なくとも1種の有機成分の分解温度以下の条件で、すべての該有機成分を分解する工程(B)と、前記非単結晶膜が結晶化する温度以上の条件で、該非単結晶膜を加熱して結晶化させる工程(C)とを順次実施することを特徴とする結晶性無機膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 618B

F-Term (50)：

5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HJ01 , 5F110HK04 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP11 , 5F110QQ06 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CC08 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD17 , 5F152CE01 , 5F152CE03 , 5F152CE06 , 5F152CE09 , 5F152CE18 , 5F152CE24 , 5F152CE42 , 5F152CE44 , 5F152CE47 , 5F152EE01 , 5F152FF03 , 5F152FF13 , 5F152FF15 , 5F152FF21 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG08 , 5F152FG18 , 5F152FH01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開第03/31673号パンフレット

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