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J-GLOBAL ID：200903084003171137

半導体装置

Inventor： 五十嵐 一雅 ,  吉田 司 ,  高士 孝司 ,  長沢 徳 ,  池村 和弘
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330741
Publication number (International publication number)：1995078913
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半田実装時において樹脂組成物硬化体にクラックが発生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応力性、耐湿性および離型性、そして総合的に信頼性に優れる表面実装型半導体装置を提供する。【構成】 特定のエポキシ樹脂、特定のフェノ-ル樹脂、特定の硬化促進剤、特定のオルガノポリシロキサンおよび無機質充填剤、場合により酸化ポリエチレンワックスを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して半導体装置とする。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(E)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の構造式〔化1〕で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)下記の構造式〔化2〕で表されるフェノ-ル樹脂。【化2】(C)下記の一般式〔化3〕で表される硬化促進剤。【化3】(D)下記の一般式〔化4〕で表されるオルガノポリシロキサン。【化4】(E)無機質充填剤。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/50 NJD ,  C08G 59/62 NJS