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J-GLOBAL ID：200903084006099038
受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243625
Publication number (International publication number)：1994097597
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】レーザ光出力を正確にモニタできる受光素子付き面発光型半導体レーザ装置を提供すること。【構成】n型InP半導体基板2上に形成されたn型半導体多層膜反射鏡3と、このn型半導体多層膜反射鏡3に形成された活性層6と、この活性層6上に形成されたp型半導体多層膜反射鏡9と、このp型半導体多層膜反射鏡9に活性層6と同心的に形成されると共に、中心部に活性層6の幅より狭い開口部を有し、且つ活性層6の出射光のうち2次以上の共振モードの自然放出光が入射されない幅を有すPINフォトダイオード24とを備えている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された第1の反射鏡と、この第1の反射鏡上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第2の反射鏡と、この第2の反射鏡上に前記活性層と同心的に形成されると共に、中心部に前記活性層の幅より狭い開口部を有し、且つ前記活性層の出射光のうち2次以上の共振モードの自然放出光が入射されない幅を有する受光素子とを具備してなることを特徴とする受光素子付き面発光型半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 27/15
, H01L 31/12
