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J-GLOBAL ID：200903084011564407

単層カーボンナノチューブの精製方法

Inventor： 後藤 肇 ,  古田 照実 ,  藤原 良也 ,  大橋 俊之
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 辰彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002111879
Publication number (International publication number)：2003081616
Application date： Apr. 15, 2002
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】金属触媒を除去して高純度の単層カーボンナノチューブを得ることができる精製方法を提供する。【解決手段】金属触媒2を用いて製造された単層カーボンナノチューブ1を酸化処理する第1の酸化処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を酸溶液中で還流処理する第1の還流処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を再度酸化処理する第2の酸化処理工程と、単層カーボンナノチューブ1を再度酸溶液中で還流処理する第2の還流処理工程とを備える。単層ナノチューブ1は、金属触媒2を含む炭素電極を用いアーク放電により合成される。炭素電極は、Ni,Y,Tiからなる金属触媒を含む。第1の酸化処理工程は、350〜600°Cの範囲の温度で加熱するか、過酸化水素水中で湿式酸化処理する。第1の還流処理工程は、硝酸中で還流処理する。第2の酸化処理は過酸化水素水中で湿式酸化処理する。第2の還流処理工程は、塩酸中で還流処理する。

Claim (excerpt)：

金属触媒を用いて製造された単層カーボンナノチューブの精製方法において、不純物を含む単層カーボンナノチューブを酸化処理する第1の酸化処理工程と、該第1の酸化処理が施された単層カーボンナノチューブを酸溶液中で還流処理する第1の還流処理工程と、該第1の還流処理が施された単層カーボンナノチューブを再度酸化処理する第2の酸化処理工程と、該第2の酸化処理が施された単層カーボンナノチューブを再度酸溶液中で還流処理する第2の還流処理工程とを備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブの精製方法。

F-Term (7)：

4G146AA12 ,  4G146CA02 ,  4G146CA03 ,  4G146CB12 ,  4G146CB26 ,  4G146CB32 ,  4G146CB37