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J-GLOBAL ID:200903084013022571
表面異物検査装置用校正試料
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992145637
Publication number (International publication number):1993340884
Application date: Jun. 05, 1992
Publication date: Dec. 24, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程の歩留りに大きな影響を有する微粒子形状の異物の表面異物検査装置用校正試料及び試料作成方法に関し、製造工程において成長させるCVD膜と同様な光学的性質を有する薄膜とシリコン基板の間にPSL粒子が存在する表面異物検査装置用校正試料及び試料作成方法の提供を目的とする。【構成】 粒子径の寸法が略同一で、形状が真球の粒子2を、電子デバイスの製造工程において形成する膜と同様な光学的性質を有する物質3の薄膜にて被覆し、試料基板1の表面に固着するように構成する。
Claim (excerpt):
粒子径の寸法が略同一で、形状が真球の粒子(2) を、電子デバイスの製造工程において形成する膜と同様な光学的性質を有する物質(3) の薄膜にて被覆し、試料基板(1) の表面に固着したことを特徴とする表面異物検査装置用校正試料。
IPC (2):
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