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J-GLOBAL ID：200903084020076555
平坦化方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992238715
Publication number (International publication number)：1994089895
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体基板の表面に形成された配線などの凸部が高アスペクト比の場合にも、その配線を層間絶縁層で囲んで表面平坦化することを可能にする。【構成】凸部の形成する配線などを複数に分割、積層することにより形成し、平坦化をその都度行うことにより、アスペクト比が異なる配線の上に多層配線を形成する場合の表面の平坦化、あるいは高アスペクト比の導体が絶縁層に埋め込まれたコイルの作製が可能になる。平坦化の手法にはエッチバックによる方法、バイアススパッタ法、バイアスECRプラズマCVD法、TEOS-CVD法のいずれも用いることができる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成される凸部の周囲を充填して表面平坦な被覆層を形成する平坦化方法において、凸部の形成を複数回に分割して行い、分割形成された凸部をその都度平坦な被覆層で覆うことを特徴とする平坦化方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
