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J-GLOBAL ID：200903084021676190

マイクロ加工された静電容量形表面差圧センサ

Inventor： カルロス ホラシオ マストランジェロ
Applicant, Patent owner： フォード モーター カンパニー
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993324832
Publication number (International publication number)：1995007161
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 毛管力による有害な効果のない、乾式除去法で製造されるマイクロ構造体による、静電容量形差圧センサおよびその製造法を提供する。【構成】 第1エッチング停止層を定めるために、基板の中に添加材料が選択的に注入され、この上に半導体材料の表面層が沈着されて、ダイアフラム領域が定められる。その上に不動態化導電体層が沈着されて、ダイアフラム電極が作成される。ダイアフラム領域の上に犠牲層が選択的に沈着される。導電体構造層が表面層に固定されて、第2電極が作成される。選択的エッチングにより、第1エッチング停止層で終端する裏側開口部が作成される。第1エッチング停止層が除去される。少なくとも1つの一時的ポストが、構造体層から表面層に向けて延長されて作成される。犠牲層が除去され、その後、一時的ポストが除去される。

Claim (excerpt)：

第1エッチング停止層を定めるために基板の中に添加用材料を選択的に注入する段階と、その上にダイアフラムを定めるために前記第1エッチング停止層を少なくとも被覆するように、前記基板の上に半導体材料の表面層を沈着する段階と、ダイアフラム電極を作成するために前記ダイアフラムの上に不動態化導電体層を沈着する段階と、前記ダイアフラムおよびその上の前記不動態化導電体層の上に、犠牲層を選択的に沈着する段階と、前記犠牲層が前記基板と導電体構造層との間に配置されそれにより第2電極を形成するように、前記導電体構造層を前記表面層に固定する段階と、前記第1エッチング停止層で終端する開放裏側開口部を形成するために、前記基板を前記導電体構造層と反対の側から選択的にエッチングする段階と、このような裏側開口部が前記導電体構造層と反対側の前記ダイアフラムに結合するように、前記第1エッチング停止層を選択的に除去する段階と、それらの間の偏向を小さくするために前記表面層に向けて前記導電体構造層を通って延長される少なくとも1つの一時的ポストを形成する段階と、測定されるべき圧力に応答して前記ダイアフラムがその中に偏向することができるダイアフラム空洞を形成するために、前記犠牲層を除去する段階と、前記一時的ポストを除去する段階と、を有し、それにより、前記裏側開口部を通して作用する圧力が、前記ダイアフラムの偏向と、および、前記第1電極と前記第2電極との間の静電容量値が対応して変化する、基板の上にマイクロ加工された静電容量形差圧センサを製造する方法。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/12 ,  G01L 13/06 ,  H01L 21/306