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J-GLOBAL ID：200903084032107090

トランジスター及びその製造方法

Inventor： 川分 康博 ,  榊間 博 ,  里見 三男 ,  入江 庸介
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336475
Publication number (International publication number)：1997181374
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 トランジスターの磁界感度を上げる。低電流で動作させる。スヒ ゚ントランジスターを作製する際必要である、Si/金属人工格子/Siのショットキー接合を容易に安定に形成する。【解決手段】 ベースの人工格子膜4aにスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型人工格子膜を用いる。それによって磁界感度を上昇させる。または、ベースの人工格子膜に、強磁性トンネル接合型磁気抵抗効果膜を用いる。そうすることにより低電流動作が可能になる。Si基板上にエヒ ゚タキシャルに金属人工格子膜を作製し、更にそれにエヒ ゚タキシャルにSi膜を形成する。そうすることにより、容易に、安定した接合界面を作製することができる。

Claim (excerpt)：

第1の金属電極の上に、コレクターとして第1のSi単結晶、ベースとしてスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型磁気抵抗効果膜、エミッターとして第2のSi単結晶、第2の金属電極が順次積層された構成であり、前記第1と第2のSi単結晶と前記スヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型磁気抵抗効果膜の間で、ショットキー型障壁が形成されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/68 ,  H01L 43/10

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 29/68 ,  H01L 43/10