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J-GLOBAL ID：200903084034088165

SOI基板

Inventor： 山口 好広
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220354
Publication number (International publication number)：1995074328
Application date： Sep. 06, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】 SOI層となる第一の半導体基板(1) と支持基板となる第二の半導体基板(2) を清浄な雰囲気下で密着させることで直接接合する。このときSOI層となる第一の半導体基板(2) の酸化膜に溝(4) を形成しておく。【効果】 溝の形成によりSOI基板の反りを低減することがかできる。

Claim (excerpt)：

素子が形成されるSOI層と支持基板とが絶縁体層を介して直接接合されてなるSOI基板において、前記絶縁体層に溝が形成されていることを特徴とするSOI基板。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02