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J-GLOBAL ID：200903084034312880

光デバイスの製造方法

Inventor： 岡野 誠 ,  山本 宗継 ,  小森 和弘
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007202509
Publication number (International publication number)：2008065317
Application date： Aug. 03, 2007
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

【課題】 本発明は、2DPCスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に対して、信頼性の高い電極製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意し、コア層上の一部に第1の電極を形成し、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布し、第1の基板の第1の電極が形成された側と第2の基板とを接合し、接合した第1の基板と第2の基板とを加熱し、コア層及び第1の電極を残して第1の基板を除去し、コア層上の一部に第2の電極を形成し、コア層にエッチングにより複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成し、エッチングにより第1の電極の一部を露出し、第1及び第2の電極に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法である。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意する工程と、 コア層上の一部に第1の電極を形成する工程と、 第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、 第1の基板の第1の電極が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、 接合した第1の基板と第2の基板とを加熱する工程と、 コア層及び第1の電極を残して第1の基板を除去する工程と、 コア層上の一部に第2の電極を形成する工程と、 エッチングによりコア層に複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成する工程と、 エッチングにより第1の電極の一部を露出させる工程と、 第1及び第2の電極に接続する電極配線を形成する工程 とを含む、光デバイスの製造方法。

IPC (5)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042

FI (5)：

G02B6/12 M ,  G02B6/12 Z ,  G02B6/12 B ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 612

F-Term (56)：

2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AC01 ,  2H147AC02 ,  2H147BA01 ,  2H147BA05 ,  2H147BA15 ,  2H147BA17 ,  2H147BF02 ,  2H147BF03 ,  2H147BF14 ,  2H147DA08 ,  2H147EA10D ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147EA13C ,  2H147EA14D ,  2H147EA15C ,  2H147EA16D ,  2H147EA25B ,  2H147EA35D ,  2H147EA39D ,  2H147EA42A ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FA17 ,  2H147FA25 ,  2H147FB07 ,  2H147FC01 ,  2H147FC02 ,  2H147FC06 ,  2H147FC07 ,  2H147FD14 ,  2H147FD15 ,  2H147FF05 ,  2H147GA10 ,  2H147GA15 ,  2H147GA16 ,  2H147GA28 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CB31 ,  5F173AB90 ,  5F173AD30 ,  5F173AG20 ,  5F173AK22 ,  5F173AP71 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AR99