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J-GLOBAL ID：200903084038559952

ドライエツチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991042414
Publication number (International publication number)：1993003181
Application date： Feb. 15, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 逆テーパー状の断面形状を有するレジスト・マスクを用いるドライエッチングにおいて、寸法変換差の発生を抑制する。【構成】 ネガ型化学増幅系レジスト材料により形成されたフォトレジスト・パターン4は、感光特性によりしばしば逆テーパー形状となる。そこで、S2F2 /H2 S混合ガス系を用いたプラズマ処理により傾斜側壁部4aにS(イオウ)を堆積させてマスクの断面形状をほぼ矩形に整形した後、S2 F2 を用いてDOPOS層3をエッチングする。これにより、ラジカルによる側方攻撃の影響を受けず、フォトレジスト・パターンの最上面の幅D1 と等しい幅を有するゲート電極3aが形成できる。条件の工夫により、断面形状の整形とDOPOS層3のエッチングとを競合させながら行うことも可能である。

Claim (excerpt)：

パターン幅が膜厚方向の最上面から最下面へ向けて小とされることにより傾斜側壁部が形成されてなるレジスト・パターンをマスクとして被エッチング材料層のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記傾斜側壁部に放電反応生成物を堆積させて該傾斜側壁部を前記被エッチング層に対して略垂直に整形した後、該被エッチング材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。