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J-GLOBAL ID：200903084052310231

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 土井 健嗣
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171623
Publication number (International publication number)：2000012953
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 簡単な製造工程で端面近傍に電流非注入構造を形成し、高信頼なAlGaInP系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本レーザ素子は、第1導電型クラッド層130、活性層110および第2導電型クラッド層120、150を少なくとも含み、第1導電型の半導体基板210上に形成されたダブルヘテロ構造と、第2導電型クラッド層で形成され、共振器方向に延伸するリッジストライプと、共振器の少なくとも一方の光取り出し部のストライプ幅が共振器内部のストライプ幅よりも狭くなるようにリッジストライプの側面及び上面を覆う第1の電流ブロック層250と、リッジストライプの両側を埋める第2の電流ブロック層190とを備える。第1の電流ブロック層として、AlInPブロック層を用る。これにより、高信頼なAlGaInP系半導体レーザ素子が実現できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を少なくとも含み、第1導電型の半導体基板上に形成されたダブルヘテロ構造と、第2導電型クラッド層によって形成されて共振器方向に延伸し、ストライプ幅が共振器の少なくとも一方の光取り出し部で共振器内部のストライプ幅よりも狭くなっているリッジストライプと、共振器の少なくとも一方の光取り出し部ではリッジストライプの側面及び上面を覆うAlInPからなる第1の電流ブロック層と、リッジストライプの両側を埋める第2の電流ブロック層とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (9)：

5F073AA13 ,  5F073AA35 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073CA06 ,  5F073CA14 ,  5F073EA28