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J-GLOBAL ID：200903084096943720

SiCのパターンエッチング方法

Inventor： 小枝 勝
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993026747
Publication number (International publication number)：1994244149
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単純な工程で高速にSiC基板を所望の形状にエッチングし、しかもスムーズな仕上がり面を得る。【構成】 SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、[Ar/(CBrF3 +Ar)]=50〜95%としたCBrF3 とArとの混合ガスを用いて反応性イオンビームエッチングを行なう。【効果】 SiC基板のエッチング速度がレジストのそれと同等程度となるため、リフトオフを行なうことなく、レジスト上からの直接パターンエッチングが可能となる。

Claim (excerpt)：

SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、(CBrF3 +Ar)に対するArの分圧比を50〜95%としたCBrF3とArとの混合ガスから生成される反応性イオンビーム等の異方性プラズマエッチングを該基板の垂直上方から照射することによりSiC基板のエッチングを行なうことを特徴とするSiCのパターンエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  G02B 5/18 ,  H01S 3/18