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J-GLOBAL ID:200903084099706028

投影露光方法及び投影露光用光学マスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992028296
Publication number (International publication number):1993066553
Application date: Feb. 14, 1992
Publication date: Mar. 19, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、例えば、半導体集積回路装置の製造過程で使用される微細フォトリソグラフィー技術に必要な投影露光方法およびそれに用いる光学マスクに関し、製造、検査及び修正が困難な高精度の位相シフトマスクを用いることなく、微細なパターンの投影露光を実現することを目的とする。【構成】 光源9からの光を光学マスク4,104に照射して、光学マスクを透過した光像をレンズ3を介してフォトレジスト膜2上に投影し、光を透過すると共に所望の露光パターンを有する主スペース6,106と、主スペースに近接して設けられ、光を透過するがこれ単独によってはフォトレジスト膜2を感光させない程度に狭い幅を有する副スペース7,110,111とからなる光学マスク4,104を用いるように構成する。
Claim (excerpt):
光源(9)からの光を光学マスク(4,104)に照射して、該光学マスクを透過した光像をレンズ(3)を介してフォトレジスト膜(2)上に投影する投影露光方法において、光を透過すると共に所望の露光パターンを有する主スペース(6,106)と、該主スペースに近接して設けられ、光を透過するがこれ単独によっては該フォトレジスト膜(2)を感光させない程度に狭い幅を有する副スペース(7,110,111)とからなる光学マスク(4,104)を用いることを特徴とする投影露光方法。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 L
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 特開平1-161348
  • 特開平1-161348
Cited by examiner (3)
  • 特開平3-015845
  • 特開平1-161348
  • 特開平1-161348

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